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SIB422EDK-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-75-6L
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6L Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIB422EDK-T1-GE3TR SIB422EDKT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIB422EDK-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 560

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SIB422EDK-T1-GE3 fabricantes de marca: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip existencias, SIB422EDK-T1-GE3 precio de referencia. SIB422EDK-T1-GE3 parámetros, SIB422EDK-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SIB422EDK-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SIB422EDK-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SIB422EDK-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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