SI7772DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SkyFET®, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1084pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 35.6A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SI7772DP-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35.6A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI7772DP-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 2570
SI7772DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20645
SI7772DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SI7772DP-T1-GE3 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 3369
SI7774DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2591
SI7774DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1000
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