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SI7758DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SkyFET®, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7150pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI7758DP-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI7758DP VB CIs Calientes Especializados 1000
SI7758DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14818

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SI7758DP-T1-GE3 fabricantes de marca: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip existencias, SI7758DP-T1-GE3 precio de referencia. SI7758DP-T1-GE3 parámetros, SI7758DP-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SI7758DP-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SI7758DP-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SI7758DP-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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