SI5935DC-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Base Part Number SI5935
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 86 mOhm @ 3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI5933CDC-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 9023
SI5933CDC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 18290
SI5933CDC-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI5933CDC-T1-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3432
SI5933CDC-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 12632
SI5933CDC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3140
SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI5933DC Vishay CIs Calientes Especializados 3137
SI5933DC-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 66116
SI5933DC-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 238807

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