SI5853CDC-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series LITTLE FOOT®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 8V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 4A (Tc) 1.5W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
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SI5853CD-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 11230
SI5853CDC VISHAY CIs Calientes Especializados 30000
SI5853CDC-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32873
SI5853CDC-T1-E3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 2147
SI5853CDC-T1-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 8500
SI5853DC VISHAY CIs Calientes Especializados 13678
SI5853DC-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 26262
SI5853DC-T1-E VISHAY CIs Calientes Especializados 2277
SI5853DC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 447214
SI5853DC-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 447214

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