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SI5484DU-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 7.6A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI5480DU VISHAY CIs Calientes Especializados 15288
SI5480DU-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 2059
SI5480DU-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2662
SI5480DU-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2683
SI5480DU-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2682
SI5480DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2590
SI5480DU-TI-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 1058
SI5481DU-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2723
SI5481DU-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2766
SI5481DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2683

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