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SI5449DC-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 30V 3.1A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Ta)
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Las siguientes partes incluyen  'SI544' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI5440DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2623
SI5440DC-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2750
SI5441BDC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 9498
SI5441BDC-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 71023
SI5441BDC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 89503
SI5441BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5441BDC-T1-E3
SI5441BDC-T1-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 6236
SI5441BDC-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3500
SI5441BDC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3500
SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5441BDC-T1-GE3

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