SI4965DY-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 2W Surface Mount 8-SO
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI4963 SILICONIX CIs Calientes Especializados 15
SI4963AN SI CIs Calientes Especializados 2776
SI4963B/DY-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 41900
SI4963BDY VIS CIs Calientes Especializados 832
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