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SI4778DY-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 13V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 25V 8A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4778DY-T1-E3-ND SI4778DY-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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Otros incluyen   "SI477"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI477' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI4770-A-EVB Energy Micro (Silicon Labs) Kits de Evaluación y Desarrollo de RF, Placas 2617
SI4770-A-EVB Silicon Labs Placas RF
SI4770-A20-GM Energy Micro (Silicon Labs) Receptores RF 5249
SI4770-A20-GM Silicon Labs Receptores RF
SI4770-A20-GMR Energy Micro (Silicon Labs) Receptores RF 2709
SI4770-A20-GMR Silicon Labs Receptores RF
SI4770MODULE-A-EVB Energy Micro (Silicon Labs) Kits de Evaluación y Desarrollo de RF, Placas 2649
SI4770MODULE-A-EVB Silicon Labs Placas RF
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