SI4501ADY-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.3W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel, Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A, 4.1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 8.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4501ADY-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 6.3A, 4.1A 1.3W Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI4501
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI4500 VISHAY CIs Calientes Especializados 370
SI4500B SI CIs Calientes Especializados 2907
SI4500BDY VISHAY CIs Calientes Especializados 988
SI4500BDY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 10996
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