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SI4322DY-T1-GE3
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SI4322DY-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 30V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) Surface Mount 8-SO |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SI432'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI4320 | SILICON | CIs Calientes Especializados | 15652 |
SI4320-J-FT | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4320-J-FTR | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4320-J1-FT | Energy Micro (Silicon Labs) | Receptores RF | 941 |
SI4320-J1-FT | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4320-J1-FT1 | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4320-J1-FT1R | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4320-J1-FTR | Energy Micro (Silicon Labs) | Receptores RF | 12753 |
SI4320-J1-FTR | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4320-J1-FTR IC | Energy Micro (Silicon Labs) | CIs Calientes Especializados | 1756 |
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