SI3590DV-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 830mW
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Base Part Number SI3590
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77 mOhm @ 3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI3590DV-T1-E3TR SI3590DVT1E3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A, 1.7A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
Si3590DV Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 35
SI3590DV-T1 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3221
SI3590DV-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 17993
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SI3590DV-T1-E3 fabricantes de marca: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip existencias, SI3590DV-T1-E3 precio de referencia. SI3590DV-T1-E3 parámetros, SI3590DV-T1-E3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SI3590DV-T1-E3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SI3590DV-T1-E3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SI3590DV-T1-E3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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