SI2312CDS-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31.8 mOhm @ 5A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI2312CDS-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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SI2310 Original CIs Calientes Especializados 8880399
SI2310 60v KF CIs Calientes Especializados 360500
SI2310 CMN2310 VB CIs Calientes Especializados 10000
SI2310-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3381
SI2310-TP Micro Commercial Co Transistores MOSFET individuales
SI2310/KF2310 KEFAN CIs Calientes Especializados 120210
SI2310DS VISAHY CIs Calientes Especializados 30000
SI2310DS-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 364
SI2310DS-T1-E3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 30415
SI2310DS-T1-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 9350

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