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SI1413EDH-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 100µA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package SC-70-6 (SOT-363)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Other Names SI1413EDH-T1-E3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 2.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI1410EDH VISHAY CIs Calientes Especializados 12416
SI1410EDH-T1 SILICONIX CIs Calientes Especializados 3306
SI1410EDH-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2592
SI1410EDH-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2504
SI1410EDH-T1-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 336000
SI1411DH-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2552
SI1411DH-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
SI1411DH-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2627
SI1411DH-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2636
SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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