SI1035X-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 20V SC-89

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 400mV @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 250mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Base Part Number SI1035
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI1035X-T1-GE3TR SI1035XT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180mA, 145mA
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SI1030-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 2598
SI1030-A-GM Silicon Labs ICs Transceptores RF
SI1030-A-GMR Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 2576
SI1030-A-GMR Silicon Labs ICs Transceptores RF
SI1030-B-GM3 Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 2511
SI1030-B-GM3 Silicon Labs ICs Transceptores RF
SI1030-B-GM3R Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 2544
SI1030-B-GM3R Silicon Labs ICs Transceptores RF
SI1031-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 2665

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