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S8CJ-M3/I
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S8CJ-M3/I Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 985mV @ 8A |
Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4µs |
Package / Case | DO-214AB, SMC |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitance @ Vr, F | 79pF @ 4V, 1MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | S8CJ-M3/I-ND S8CJ-M3/IGITR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 53 Weeks |
Detailed Description | Diode Standard 600V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC) |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
S8CJ-M3/I Documentos
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
S8CJ-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Rectificador de Diodo Monofásico |
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