IRLD120PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 780mA, 5V
Packaging Tube
Other Names *IRLD120PBF
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Detailed Description N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLD110 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4422
IRLD110 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2964
IRLD110PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11907
IRLD110PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11907
IRLD110PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRLD110PBF. IR CIs Calientes Especializados 51
IRLD120 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3020
IRLD120 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5201
IRLD120PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5334

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