IRFZ14STRL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 60V 10A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D2PAK
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFZ10 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 28398
IRFZ10 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 28398
IRFZ10/ SiHFZ10 VIS CIs Calientes Especializados 32363
IRFZ10PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37390
IRFZ10PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37390
IRFZ10PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFZ10PBF MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5459
IRFZ12 IR CIs Calientes Especializados 4543
IRFZ14 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 39537
IRFZ14 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2362

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