IRFP9140 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 21A TO-247AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFP9140
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247-3
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 100V 21A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFP90N20D IR CIs Calientes Especializados 1341
IRFP90N20DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5420
IRFP90N20DPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFP90N20PBF IR CIs Calientes Especializados 329
IRFP9140 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4234
IRFP9140N International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2370
IRFP9140NPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1347
IRFP9140NPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFP9140PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 591
IRFP9140PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25425

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