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IRFIB7N50LPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 4.1A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFIB7N50LPBF
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 6.8A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220-3
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Otros incluyen   "IRFIB"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFIB' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFIB11N50APBF VISHAY CIs Calientes Especializados 5800
IRFIB22N60C3 IR CIs Calientes Especializados 25
IRFIB41N15D IR CIs Calientes Especializados 2528
IRFIB41N15DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5318
IRFIB41N15DPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFIB41N15DPBF. IR CIs Calientes Especializados 40032
IRFIB5N50L IR CIs Calientes Especializados 2665
IRFIB5N50LPBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 553
IRFIB5N50LPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5460
IRFIB5N65A Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1738

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