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IRFD310 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ohm @ 210mA, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFD310
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 400V 350mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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