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IRFBE20STRL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 1.8A (Tc) Surface Mount D2PAK
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
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Otros incluyen   "IRFBE"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFBE' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFBE20 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13093
IRFBE20 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1193
IRFBE20L Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2652
IRFBE20L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
IRFBE20PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8140
IRFBE20PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1147
IRFBE20PBF MOS IR CIs Calientes Especializados 383
IRFBE20S Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2761
IRFBE20S Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2541
IRFBE20SPBF VISHAY CIs Calientes Especializados 9000

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