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IRFB9N65A Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930 mOhm @ 5.1A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFB9N65A
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 167W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1417pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Otros incluyen   "IRFB9"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFB9' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFB9N30A Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 39256
IRFB9N30A Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20509
IRFB9N30APBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37363
IRFB9N30APBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37363
IRFB9N60A Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 995
IRFB9N60A Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33373
IRFB9N60A/ SiHFB9N60A VIS CIs Calientes Especializados 32363
IRFB9N60APBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 41070
IRFB9N60APBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 542
IRFB9N60APBF MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 6521

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