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IRF737LCSTRL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 3.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 300V 6.1A (Tc) Surface Mount D2PAK
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF730 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1408
IRF730 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9119
IRF730 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9174
IRF730 Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
IRF730 IC IR CIs Calientes Especializados 716
IRF7301 IR CIs Calientes Especializados 4875
IRF7301PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5483
IRF7301PBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF7301TR IR CIs Calientes Especializados 3787
IRF7301TR IC IR CIs Calientes Especializados 898

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