IRF520PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRF520PBF
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF520 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 78795
IRF520 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 79032
IRF520 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2400
IRF520-PBF IR CIs Especializados 5308
IRF520A SEC CIs Calientes Especializados 1447
IRF520N International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3387
IRF520NL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10447
IRF520NLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2701
IRF520NPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15370
IRF520NPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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