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IRF510L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-262-3
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 3.4A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRF510L
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
FET Feature -
Detailed Description N-Channel 100V 5.6A (Tc) Through Hole TO-262-3
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF510 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1434
IRF510 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 40811
IRF510A SEC CIs Calientes Especializados 20088
IRF510L Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2610
IRF510N IR CIs Calientes Especializados 2381
IRF510NPBF I CIs Calientes Especializados 6384
IRF510NPBF MOS IR CIs Calientes Especializados 1115
IRF510PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2333
IRF510PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 59517
IRF510PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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