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IRF3205ZSTRL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 66A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3450pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 55V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
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Otros incluyen   "IRF32"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRF32' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF3203 IR CIs Calientes Especializados 1283
IRF3205 IR CIs Calientes Especializados 5406
IRF3205. Original CIs Calientes Especializados 40
IRF3205  IR CIs Calientes Especializados 5381
IRF3205L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2775
IRF3205LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2680
IRF3205LPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF3205NS IR CIs Calientes Especializados 6
IRF3205PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 50489
IRF3205PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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