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IRC640PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-220-5
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-5
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRC640PBF
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature Current Sensing
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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Otros incluyen   "IRC64"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRC64' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRC640 IR CIs Calientes Especializados 7017
IRC640 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5539
IRC640-007PBF IR CIs Calientes Especializados 445
IRC640PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2591
IRC644 IR CIs Calientes Especializados 3085
IRC644PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6
IRC644PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2562

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