2N6661JTXL02 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 90V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 860mA (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-39
Power Dissipation (Max) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
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2N6660 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4579
2N6660 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4636
2N6660 Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2294
2N6660-2 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1479
2N6660-2 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3125
2N6660-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
2N6660-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2503
2N6660-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
2N6660JAN02 Vishay / Siliconix Transistores - JFETs 2699
2N6660JAN02 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - JFETs 2786

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