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1N5237B-TR Especificaciones técnicas
DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Zener - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerance | ±5% |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | DO-204AH, DO-35, Axial |
Operating Temperature | - |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 |
Base Part Number | 1N5237 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
Supplier Device Package | DO-35 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | 1N5237BVSTR |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 40 Weeks |
Impedance (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 3µA @ 6.5V |
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Otros incluyen "1N523" partes
Las siguientes partes incluyen '1N523'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
1N5230 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 66 |
1N5230 4.7V | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 2235 |
1N5230A (DO-35) | Microsemi | Diodos - Zener - Individual | 2679 |
1N5230B | Fairchild/ON Semiconductor | Diodos - Zener - Individual | 2599 |
1N5230B | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Zener - Individual | 2780 |
1N5230B | ON Semiconductor | Diodos Zener Individuales | |
1N5230B (DO-35) | Microsemi | Diodos - Zener - Individual | 0 |
1N5230B A0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodos - Zener - Individual | 0 |
1N5230B BK | Central Semiconductor | Diodos - Zener - Individual | 2620 |
1N5230B DO-35 | PANJIT | CIs Calientes Especializados | 5500 |
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SBCs
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