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EPC8009ENGR Especificaciones técnicas

TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 138 mOhm @ 500mA, 5V
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 47pF @ 32.5V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 65V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Series eGaN®
Power Dissipation (Max) -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.38nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Ta)
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Otros incluyen   "EPC80"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EPC8002 EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2559
EPC8002ENGR EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2547
EPC8003ENGR EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2558
EPC8004 EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2774
EPC8004ENGR EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2593
EPC8005ENGR EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2557
EPC8007ENGR EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2641
EPC8008ENGR EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2514
EPC8009 EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1394
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