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EPC2103ENG Especificaciones técnicas

TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA
Series eGaN®
Power - Max -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 40V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EPC2100 EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2532
EPC2100ENG EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2719
EPC2100ENGRT EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2619
EPC2101 EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2635
EPC2101ENG EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2664
EPC2101ENGRT EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2689
EPC2102 EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2692
EPC2102ENG EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2715
EPC2102ENGRT EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2580
EPC2103 EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2766

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