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EPC2023
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EPC2023 Especificaciones técnicas
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | EPC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 20mA |
Supplier Device Package | Die |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 40A, 5V |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 12 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 15V |
FET Feature | - |
Detailed Description | N-Channel 30V 60A (Ta) Surface Mount Die |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Series | eGaN® |
Packaging | Original-Reel® |
Other Names | 917-1088-6 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
EPC2023 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para EPC2023
-
Hojas de datos
EPC2023.pdf
Otros incluyen "EPC20" partes
Las siguientes partes incluyen 'EPC20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
EPC200-CSP5 | ESPROS Photonics AG | Fotodiodos | |
EPC2001 | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2785 |
EPC2001C | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5487 |
EPC2007 | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2672 |
EPC2007C | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2545 |
EPC2010 | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2733 |
EPC2010C | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2207 |
EPC2010CENGR | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2654 |
EPC2012 | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2711 |
EPC2012C | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2759 |
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