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EPC2016
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EPC2016 Especificaciones técnicas
TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | EPC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Supplier Device Package | Die |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 11A, 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Series | eGaN® |
Power Dissipation (Max) | - |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
EPC2016 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para EPC2016
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Hojas de datos
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Otros incluyen "EPC20" partes
Las siguientes partes incluyen 'EPC20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
EPC200-CSP5 | ESPROS Photonics AG | Fotodiodos | |
EPC2001 | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2785 |
EPC2001C | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5487 |
EPC2007 | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2672 |
EPC2007C | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2545 |
EPC2010 | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2733 |
EPC2010C | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2207 |
EPC2010CENGR | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2654 |
EPC2012 | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2711 |
EPC2012C | EPC | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2759 |
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