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EPC2014C Especificaciones técnicas

TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Series eGaN®
Power Dissipation (Max) -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +6V, -4V
Supplier Device Package Die Outline (5-Solder Bar)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 10A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
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EPC2014C Documentos

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Otros incluyen   "EPC20"   partes

Las siguientes partes incluyen  'EPC20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EPC200-CSP5 ESPROS Photonics AG Fotodiodos
EPC2001 EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2785
EPC2001C EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5487
EPC2007 EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2672
EPC2007C EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2545
EPC2010 EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2733
EPC2010C EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2207
EPC2010CENGR EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2654
EPC2012 EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2711
EPC2012C EPC Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2759

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