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ZXTP2013GTA
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ZXTP2013GTA Especificaciones técnicas
TRANS PNP 100V 5A SOT223
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 3W |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 400mA, 4A |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 125MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "ZXTP2" partes
Las siguientes partes incluyen 'ZXTP2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
ZXTP2006E6TA | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3426 |
ZXTP2008GTA | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 4257 |
ZXTP2008ZQTA | Diodes Incorporated | CIs Calientes Especializados | 13072 |
ZXTP2008ZTA | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1473 |
ZXTP2009ZTA | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3303 |
ZXTP2012A | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 20372 |
ZXTP2012ASTOA | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2593 |
ZXTP2012ASTZ | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 18345 |
ZXTP2012G | ZETEX | CIs Calientes Especializados | 2699 |
ZXTP2012GTA | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1410 |
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