ZXTN2011GTA Especificaciones técnicas

TRANS NPN 100V 6A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 3W
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 500mA, 5A
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 130MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
ZXTN2005GTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5310
ZXTN2005ZQTA AOS CIs Calientes Especializados 1080
ZXTN2005ZTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2574
ZXTN2007GTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1498
ZXTN2007ZTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 17389
ZXTN2010 ZETEX CIs Calientes Especializados 2792
ZXTN2010A Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 16470
ZXTN2010ASTZ Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2754
ZXTN2010G Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 558
ZXTN2010GTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 6873

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