ZXTN19100CGTA Especificaciones técnicas

TRANS NPN 100V 5.5A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 3W
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 5.5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 430mV @ 550mA, 5.5A
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
ZXTN10150DZTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 325228
ZXTN19020CFFTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 50456
ZXTN19020DFFTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 662
ZXTN19020DG ZETEX CIs Calientes Especializados 12312
ZXTN19020DGTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5232
ZXTN19020DQTA Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 4476
ZXTN19020DZTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 55423
ZXTN19055DZTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1293
ZXTN19060CFFTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 24359
ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3881

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