ZXTD6717E6QTA Especificaciones técnicas

SS LOW SAT TRANSISTOR SOT26

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case SOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V 12V
Transition Frequency 180MHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Number of Terminations 6
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 2
Power - Max 1.1W
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A 1.25A
Frequency - Transition 180MHz 220MHz
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
ZXTD617MCTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 43400
ZXTD618MCTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 5397
ZXTD619MCTA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 24878
ZXTD6717E6QTA ZETEX CIs Calientes Especializados 9000
ZXTD6717E6TA Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 5818
ZXTD6717E6TC Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2726

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