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ZVN4310A Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 900mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-92-3
Power Dissipation (Max) 850mW (Ta)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Otros incluyen   "ZVN43"   partes

Las siguientes partes incluyen  'ZVN43' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
ZVN4306A Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5073
ZVN4306ASTOA Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2580
ZVN4306ASTOB Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787
ZVN4306ASTZ Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2619
ZVN4306AV Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2633
ZVN4306AVSTOA Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2501
ZVN4306AVSTOB Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2626
ZVN4306AVSTZ Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2705
ZVN4306G DIODES CIs Calientes Especializados 10504
ZVN4306GTA Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15410

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