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SF30DG-T
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SF30DG-T Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Supplier Device Package | DO-201AD |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Package / Case | DO-201AD, Axial |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
SF30DG-T Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SF30DG-T
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Hojas de datos
SF30DG-T.pdf
Otros incluyen "SF30D" partes
Las siguientes partes incluyen 'SF30D'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SF30D11 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 2989 |
SF30D13 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 2894 |
SF30DG | LITEON | CIs Calientes Especializados | 2701 |
SF30DG-B | Diodes Incorporated | Diodos - Rectificadores - Individual | 2775 |
SF30DMAZ-H3 | Mitsubishi | Módulos IGBT | 2926 |
SF30DMZ-H3 | Mitsubishi | Módulos IGBT | 2771 |
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