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MMSTA63-7 Especificaciones técnicas

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 200mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 100µA, 100mA
Supplier Device Package SOT-323
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 125MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMSTA05 DIODES CIs Calientes Especializados 3500
MMSTA05-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2505
MMSTA05-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 15400
MMSTA06 ROHM CIs Calientes Especializados 1222
MMSTA06-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2526
MMSTA06-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 4438
MMSTA06Q-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3240
MMSTA06T146 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2567
MMSTA06T146 ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
MMSTA13-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2644

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