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MMSTA56Q-7-F Especificaciones técnicas

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT32

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type PNP
Series Automotive, AEC-Q101
Packaging Original-Reel®
Other Names MMSTA56Q-7-FDIDKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Frequency - Transition 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package SOT-323
Power - Max 200mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 500mA 50MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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MMSTA56Q-7-F Documentos

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Otros incluyen   "MMSTA"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MMSTA' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMSTA05 DIODES CIs Calientes Especializados 3500
MMSTA05-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2505
MMSTA05-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 15400
MMSTA06 ROHM CIs Calientes Especializados 1222
MMSTA06-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2526
MMSTA06-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 4438
MMSTA06Q-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3240
MMSTA06T146 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2567
MMSTA06T146 ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
MMSTA13-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2644

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