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MMDT5401-7 Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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MMDT5401-7 Documentos

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Otros incluyen   "MMDT5"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MMDT5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMDT5111W ST/240K CIs Calientes Especializados 12464
MMDT5211W / CIs Calientes Especializados 8461
MMDT521NW ST CIs Calientes Especializados 9493
MMDT5401 Original CIs Calientes Especializados 6295
MMDT5401-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 6396
MMDT5401-7-F-55 Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 101294
MMDT5401-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2693
MMDT5401-TP Micro Commercial Co Matrices BJT Transistores
MMDT5401K4M CJ CIs Calientes Especializados 51500
MMDT5401Q-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2522

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