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MMDT4126-7 Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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MMDT4126-7 Documentos

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Otros incluyen   "MMDT4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MMDT4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMDT4124-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2695
MMDT4124-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 3269
MMDT4126-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2500
MMDT4146-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 6485
MMDT4146-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 1633
MMDT4401 Original CIs Calientes Especializados 33500
MMDT4401 K2X CJ CIs Calientes Especializados 2626
MMDT4401-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2596
MMDT4401-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 6311
MMDT4401-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2717

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