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MMBTH10-7 Especificaciones técnicas

TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Supplier Device Package SOT-23-3
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 650MHz
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 300mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V
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Las siguientes partes incluyen  'MMBTH' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMBTH-4LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3439
MMBTH10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 87995
MMBTH10 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 42428
MMBTH10 ON Semiconductor Transistores BJT RF
MMBTH10 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT RF
MMBTH10 3E CJ CIs Calientes Especializados 42433
MMBTH10 3EM Original CIs Calientes Especializados 207500
MMBTH10-4LT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2643
MMBTH10-4LT1 ON Semiconductor Transistores BJT RF
MMBTH10-4LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 7580

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