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MMBT5551-7-F Especificaciones técnicas

TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Transistor Type NPN
Power - Max 300mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
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Otros incluyen   "MMBT5"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MMBT5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMBT501-7-F DIODES CIs Calientes Especializados 30374
MMBT5086 infineon CIs Calientes Especializados 15409
MMBT5086-NL FARCHILD CIs Calientes Especializados 3000
MMBT5087 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 96292
MMBT5087 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 96292
MMBT5087 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MMBT5087-NL FARCHILD CIs Calientes Especializados 3432
MMBT5087LT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1544
MMBT5087LT1 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MMBT5087LT1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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