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MIMD10A-7-F Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition 250MHz, 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 100, 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 500mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MIMD10A-7 DIODES CIs Calientes Especializados 60286

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