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HBDM60V600W-7
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HBDM60V600W-7 Especificaciones técnicas
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V, 60V |
Transistor Type | NPN, PNP |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA, 600mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
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