DXT2011P5Q-13 Especificaciones técnicas

PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Series Automotive, AEC-Q101
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names DXT2011P5Q-13DITR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Frequency - Transition 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 500mA, 5A
Supplier Device Package PowerDI™ 5
Power - Max 3.2W
Package / Case PowerDI™ 5
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 6A 130MHz 3.2W Surface Mount PowerDI™ 5
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DXT2010P5-13 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2587
DXT2011P5-13 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5000
DXT2012P5-13 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1702
DXT2013P5-13 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 14300
DXT2014P5-13 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 10283

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